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AI“吃掉”了存储芯片:一场结构性短缺引发的涨价风暴
苹果CEO蒂姆·库克近日承认,为应对内存及存储芯片成本飙升,计划上调产品售价。这句来自下游巨头的无奈表态,揭示了当前存储芯片市场正在经历的罕见风暴。DRAM价格从2025年三季度到2026年二季度已上涨约4.5倍,存储器价格较一年前翻了近十倍。这场涨价已不是周期性的行业波动,而是AI时代对存储产能系统性虹吸的必然结果。
本轮涨价的驱动力来自需求端的结构性变革。AI数据中心的规模化部署,使存储芯片从算力的“配套组件”跃升为“核心基础设施”。HBM等高附加值产品需求呈指数级增长,内存正成为AI硬件系统中价值占比最高的部件,预计2027年将超过70%。据集邦咨询数据,谷歌、微软、亚马逊、字节跳动、腾讯等九大云服务商合计资本支出预计达8300亿美元,同比增幅高达79%。下游云厂商的行动进一步加剧了供应紧张——亚马逊、微软及国内头部云厂商已签订3至5年长期协议,锁定2026至2028年HBM、DRAM及大容量硬盘产能,这些长协目前占用约50%的行业产能。换句话说,即使价格继续上涨,可供现货市场的产能也越来越少。
供应端的结构性调整同样关键。据TrendForce数据,三星、SK海力士、美光三大原厂将70%至80%的先进产能倾斜至HBM、高端DDR5等AI产品,但HBM产能缺口仍高达50%至60%。同时,海外存储大厂陆续退出2D NAND市场,导致利基型存储供应持续收缩。这种产能的“虹吸效应”使流向消费电子、汽车等传统领域的产能占比不足两成,从上游晶圆到存储芯片、模组再到终端产品,每一环都在涨价。有分析指出,若不计中国厂商,2026年全球存储供应量仅增长7%至8%,DRAM和NAND合计供应缺口可能达到每月15万至20万片晶圆。
涨价的具体幅度已超出多数机构的预期。2026年第二季度,LPDDR5X 12GB内存颗粒价格较一季度大涨89%,LPDDR4X 4GB上涨75%,SSD均价上涨约50%,UFS闪存最高涨幅达100%。2026年上半年,NOR Flash合约价累积涨幅达100%至120%,单层单元NAND闪存涨幅达130%至150%。对于下半年,华尔街机构判断的分歧在于“涨多少”而非“涨不涨”——Aletheia Capital预计三季度DRAM均价再涨30%,Jefferies则更为激进,预测涨幅可达40%至50%。摩根士丹利研报指出,短缺局面可能持续至2028年。
涨价潮中,中国存储企业迎来了难得的窗口期。据Counterpoint统计,长江存储NAND全球份额从8%升至13%,营收同比增长445%;长鑫存储DRAM份额从3%升至8%,营收同样增长445%。A股42家存储芯片指数成分股一季度平均营收增长79.78%,平均净利润同比增长率高达607%。但结构性分化同样剧烈——先进制程产品供不应求,DDR3、DDR4等成熟制程产品却面临库存积压和跌价准备的风险。这轮红利并不属于所有人,而只属于拥有核心技术、先进产能和强势客户资源的头部企业。当存储芯片从“周期品”演化为AI时代的“战略资源”,新一轮产业格局的重组已经开始。